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IRF3205PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 200W; gFS 44S

International Rectifier IRF3205PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF3205PBF
倉庫庫存編號：
70016950
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF3205PBF Datasheet Datasheet
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IRF3205PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF3205PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  Maximum of 146 pF @ 10 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  110 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Gate Charge, Total  146 nC  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Drain to Source On  8 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  50 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  44 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 146 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 110 A  International Rectifier Current, Drain 110 A  MOSFET Transistors Current, Drain 110 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 110 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 146 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 146 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 146 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 146 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power 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(4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
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