amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol(安費(fèi)諾)全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結(jié)果里搜索:    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRF5210SPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 60 Milliohms; ID -38A; D2Pak; PD 170W; -55degc

International Rectifier IRF5210SPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
IRF5210SPBF
倉庫庫存編號:
70017467
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRF5210SPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時(shí)更新,下單前請與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時(shí)在庫數(shù)量,謝謝合作!

IRF5210SPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2780 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  -38 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  150 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  170 W  
  Resistance, Drain to Source On  60 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  72 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  9.5 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  150 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
關(guān)鍵詞         

IRF5210SPBF相關(guān)搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 2780 pF @ -25 V  International Rectifier Capacitance, Input 2780 pF @ -25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 2780 pF @ -25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 2780 pF @ -25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  International Rectifier Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain -38 A  International Rectifier Current, Drain -38 A  MOSFET Transistors Current, Drain -38 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -38 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 150 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 150 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 150 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 150 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 170 W  International Rectifier Power Dissipation 170 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W   Resistance, Drain to Source On 60 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 60 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 60 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 60 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 72 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 72 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 72 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 72 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 9.5 S  International Rectifier Transconductance, Forward 9.5 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 9.5 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 9.5 S   Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V   Voltage, Drain to Source -100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -100 V   Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.6 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關(guān)于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 m.training-know-how.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持:電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號