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IRFB23N15DPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDS(ON) 0.09Ohm; ID 23A; TO-220AB; PD 136W; VGS +/-30V

International Rectifier IRFB23N15DPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFB23N15DPBF
倉庫庫存編號：
70017261
技術數(shù)據(jù)表：
View IRFB23N15DPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFB23N15DPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFB23N15DPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1200 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  23 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  37 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  136 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.09 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  1.1 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  18 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  11 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  37 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 23 A  MOSFET Transistors Current, Drain 23 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 23 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 37 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 136 W  International Rectifier Power Dissipation 136 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 136 W  International Rectifier MOSFET 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Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V   Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier Width 0.185" (4.69mm)  MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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