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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 210 A  International Rectifier Current, Drain 210 A  MOSFET Transistors Current, Drain 210 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 210 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51   Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 370  International Rectifier Power Dissipation 370  MOSFET Transistors Power Dissipation 370  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 370   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Time, Turn-On Delay 25 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 25 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 25 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 25 ns   Transconductance, Forward 160 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 160 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V   Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V