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IRFB4127PBF - 

IRFB4127PBF N-channel MOSFET Transistor, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB

International Rectifier IRFB4127PBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產(chǎn)品編號:
IRFB4127PBF
倉庫庫存編號:
70017917
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFB4127PBF Datasheet Datasheet
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IRFB4127PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5380 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  76 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Power Dissipation  375 W  
  Resistance, Drain to Source On  21 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  56 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  79 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  100 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 76 A  MOSFET Transistors Current, Drain 76 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 76 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 375 W  International Rectifier Power Dissipation 375 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W   Resistance, Drain to Source On 21 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 21 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 21 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 21 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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