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IRFL4310PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.2Ohm; ID 1.6A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V; -55

International Rectifier IRFL4310PBF
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
IRFL4310PBF
倉庫庫存編號:
70017600
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFL4310PBF Datasheet Datasheet
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IRFL4310PBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFL4310PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  330 pF @ 25V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  2.2 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  17 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.1 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.2 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  34 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.8 ns  
  Transconductance, Forward  1.5 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  17 nC @ 10V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Rectifier Current, Drain 2.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.2 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 17 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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