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專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售Amphenol（安費(fèi)諾）全系列產(chǎn)品-英國(guó)2號(hào)倉(cāng)庫(kù)
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IRFP9140NPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 0.117Ohm; ID -23A; TO-247AC; PD 140W; VGS +/-2

International Rectifier IRFP9140NPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFP9140NPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017196
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFP9140NPBF Datasheet Datasheet
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IRFP9140NPBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP9140NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1300 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -23 A  
  Dimensions  15.87 x 5.31 x 20.70 mm  
  Gate Charge, Total  97 nC  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.117 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  51 ns  
  Time, Turn-On Delay  15 ns  
  Transconductance, Forward  5.3 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 97 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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Rectifier Current, Drain -23 A  MOSFET Transistors Current, Drain -23 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -23 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 97 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 97 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 97 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 97 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power 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Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 51 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 51 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 51 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 51 ns   Time, Turn-On Delay 15 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 15 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 15 ns   Transconductance, Forward 5.3 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 5.3 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 5.3 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 5.3 sec   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 97 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 97 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 97 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 97 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V   Voltage, Drain to Source -100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -100 V   Voltage, Forward, Diode -1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.31mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  
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