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IRFR3710ZPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 15Milliohms; ID 56A; D-Pak (TO-252AA); -55deg

International Rectifier IRFR3710ZPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產(chǎn)品編號:
IRFR3710ZPBF
倉庫庫存編號:
70017257
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFR3710ZPBF Datasheet Datasheet
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IRFR3710ZPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2930 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  56 A  
  Dimensions  6.22 x 6.22 x 2.26 mm  
  Gate Charge, Total  69 nC  
  Height  0.089" (2.26mm)  
  Length  0.244" (6.22mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  18 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  53 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  39 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  69 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Drain 56 A  MOSFET Transistors Current, Drain 56 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 56 A   Dimensions 6.22 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier Dimensions 6.22 x 6.22 x 2.26 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.22 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.22 x 6.22 x 2.26 mm   Gate Charge, Total 69 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 69 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 69 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 69 nC   Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier Height 0.089" (2.26mm)  MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)   Length 0.244" (6.22mm)  International Rectifier Length 0.244" (6.22mm)  MOSFET Transistors Length 0.244" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.244" (6.22mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W   Resistance, Drain to Source On 18 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 18 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 18 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 18 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 53 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 53 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 53 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 53 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 39 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 39 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 39 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 39 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 69 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 69 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 69 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 69 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to 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