amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol（安費諾）全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結(jié)果里搜索：    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRFR5505TRPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.11Ohm; ID -18A; D-Pak (TO-252AA); PD 57W

International Rectifier IRFR5505TRPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFR5505TRPBF
倉庫庫存編號：
70017781
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFR5505TRPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大，部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新，下單前請與銷售人員確認(rèn)好實時在庫數(shù)量，謝謝合作！

IRFR5505TRPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFR5505TRPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  650 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  -18 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  32 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  57 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.11 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  20 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  4.2 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 32 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
關(guān)鍵詞         

IRFR5505TRPBF相關(guān)搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 650 pF @ -25 V  International Rectifier Capacitance, Input 650 pF @ -25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 650 pF @ -25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 650 pF @ -25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  International Rectifier Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain -18 A  International Rectifier Current, Drain -18 A  MOSFET Transistors Current, Drain -18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -18 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 32 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 32 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 32 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 32 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 57 W  International Rectifier Power Dissipation 57 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 57 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 57 W   Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 20 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 4.2 S  International Rectifier Transconductance, Forward 4.2 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 4.2 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 4.2 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 32 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 32 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 32 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 32 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V   Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V   Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.6 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關(guān)于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 m.training-know-how.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持：電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號