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IRFR9024NTRPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.175Ohm; ID -11A; D-Pak (TO-252AA); PD 38W

International Rectifier IRFR9024NTRPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產(chǎn)品編號:
IRFR9024NTRPBF
倉庫庫存編號:
70017787
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFR9024NTRPBF Datasheet Datasheet
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IRFR9024NTRPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFR9024NTRPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  350 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  -11 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  19 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  38 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.175 Ω  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  23 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  2.5 S  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Rectifier Current, Drain -11 A  MOSFET Transistors Current, Drain -11 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -11 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 19 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 19 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 19 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 19 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 38 W  International Rectifier Power Dissipation 38 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 38 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 38 W   Resistance, Drain to Source On 0.175 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.175 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.175 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Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
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