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IRFS3006PBF - 

IRFS3006PBF N-channel MOSFET Transistor, 270 A, 60 V, 3-Pin D2PAK

International Rectifier IRFS3006PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRFS3006PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70018332
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFS3006PBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFS3006PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  8970 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  270 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Power Dissipation  375 W  
  Resistance, Drain to Source On  2.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  118 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  280 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  200 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain 270 A  MOSFET Transistors Current, Drain 270 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 270 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 375 W  International Rectifier Power Dissipation 375 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W   Resistance, Drain to Source On 2.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 118 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 118 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 118 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 118 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns   Transconductance, Forward 280 S  International Rectifier Transconductance, Forward 280 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 280 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 280 S   Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 200 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
電話:400-900-3095
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