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IRLB3813PBF - 

IRLB3813PBF N-channel MOSFET Transistor, 260 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB

International Rectifier IRLB3813PBF
聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRLB3813PBF
倉庫庫存編號：
70019222
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRLB3813PBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLB3813PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLB3813PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  8420 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  260 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Power Dissipation  230 W  
  Resistance, Drain to Source On  2.6 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  33 ns  
  Time, Turn-On Delay  36 ns  
  Transconductance, Forward  140 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  57 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 260 A  MOSFET Transistors Current, Drain 260 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 260 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 230 W  International Rectifier Power Dissipation 230 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W   Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.6 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 33 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 33 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 33 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 33 ns   Time, Turn-On Delay 36 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 36 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 36 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
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