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IRLR2905TRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.027Ohm; ID 42A; D-Pak (TO-252AA); PD 110W

International Rectifier IRLR2905TRPBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRLR2905TRPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70017426
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRLR2905TRPBF Datasheet Datasheet
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IRLR2905TRPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRLR2905TRPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1700 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  42 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  48 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  110 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.04 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  26 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  21 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 48 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Rectifier Current, Drain 42 A  MOSFET Transistors Current, Drain 42 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 42 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 48 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 48 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 48 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 48 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 110 W  International Rectifier Power Dissipation 110 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W   Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.04 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 26 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 26 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 26 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 26 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 21 S  International Rectifier Transconductance, Forward 21 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 21 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 21 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 48 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 48 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 48 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 48 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
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