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IRLU3915PBF - 

MOSFET, 55V, 61A, 14 MOHM, 61 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK

International Rectifier IRLU3915PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRLU3915PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70018577
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
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IRLU3915PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1870 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  61 A  
  Dimensions  6.73 x 2.39 x 6.22 mm  
  Height  0.245" (6.22mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  I-PAK  
  Power Dissipation  120 W  
  Resistance, Drain to Source On  17 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  83 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.4 ns  
  Transconductance, Forward  42 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  61 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 16 V  
  Width  0.094" (2.39mm)  
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Drain 61 A  MOSFET Transistors Current, Drain 61 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 61 A   Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm   Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Height 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type I-PAK  International Rectifier Package Type I-PAK  MOSFET Transistors Package Type I-PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type I-PAK   Power Dissipation 120 W  International Rectifier Power Dissipation 120 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 120 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 120 W   Resistance, Drain to Source On 17 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 17 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 17 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 17 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 83 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 83 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 83 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 83 ns   Time, Turn-On Delay 7.4 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.4 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.4 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.4 ns   Transconductance, Forward 42 S  International Rectifier Transconductance, Forward 42 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 42 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 42 S   Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 16 V   Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Width 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  
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QQ:800152669
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