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英國(guó)2號(hào)倉(cāng)庫(kù)

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Siliconix / Vishay
MOSFET, N-Ch, Vds 30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 20mohm, Id 10.9A, SO-8, Pd 5W
規(guī)格：Resistance, Drain to Source On 0.03 Ω,
型號(hào)：SI4128DY-T1-GE3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70026449
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Siliconix / Vishay
N-CH 2.5-V (G-S) MOSFET COMMONDRAIN ESD
規(guī)格：Resistance, Drain to Source On 0.03 Ω,
型號(hào)：SI6968BEDQ-T1-E3/BKN
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70026373
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Siliconix / Vishay
MOSFET, Dual, N-Channel, 20V, 8.2A, 2W, SO-8
規(guī)格：Resistance, Drain to Source On 0.03 Ω,
型號(hào)：SI9926BDY-T1-E3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70026129
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Siliconix / Vishay
MOSFET; 30V N-Channel 22 & 30 MOHM@10V
規(guī)格：Resistance, Drain to Source On 0.03 Ω,
型號(hào)：SI7844DP-T1-E3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70026282
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Siliconix / Vishay
SI4800BDY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 6.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC
規(guī)格：Resistance, Drain to Source On 0.03 Ω,
型號(hào)：SI4800BDY-T1-E3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70026225
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Siliconix / Vishay
MOSFET; 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench
規(guī)格：Resistance, Drain to Source On 0.03 Ω,
型號(hào)：SI6966DQ-T1-E3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70026258
搜索

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